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Optimizing the Stoichiometry of Ga2O3 Grown by RF-Magnetron Sputter Deposition by Correlating Optical Properties and Growth Parameters

dc.contributor.authorSchurig, Philipp
dc.contributor.authorCouturier, Marcel
dc.contributor.authorBecker, Martin
dc.contributor.authorPolity, Angelika
dc.contributor.authorKlar, Peter Jens
dc.date.accessioned2022-08-25T14:01:59Z
dc.date.available2022-08-25T14:01:59Z
dc.date.issued2019
dc.identifier.urihttps://jlupub.ub.uni-giessen.de//handle/jlupub/6998
dc.identifier.urihttp://dx.doi.org/10.22029/jlupub-6449
dc.description.sponsorshipDeutsche Forschungsgemeinschaft (DFG); ROR-ID:018mejw64
dc.language.isoen
dc.rightsNamensnennung - Nicht kommerziell - Keine Bearbeitungen 4.0 International
dc.rights.urihttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/
dc.subject.ddcddc:530
dc.titleOptimizing the Stoichiometry of Ga2O3 Grown by RF-Magnetron Sputter Deposition by Correlating Optical Properties and Growth Parameters
dc.typearticle
local.affiliationFB 07 - Mathematik und Informatik, Physik, Geographie
local.projectRTG 2204
local.source.journaltitlePhysica status solidi. A, Applied research
local.source.volume216
local.source.articlenumber1900385
local.source.urihttps://doi.org/10.1002/pssa.201900385


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