Mogwitz, BorisBorisMogwitz2023-03-032009-04-282023-03-032008http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:hebis:26-opus-69688https://jlupub.ub.uni-giessen.de/handle/jlupub/10739http://dx.doi.org/10.22029/jlupub-10122Das Ziel dieser Arbeit war es, Siberselenidschichten mit definiertenSilberausscheidungen herzustellen und hinsichtlich ihresMagnetowiderstandsverhaltens zu charakterisieren.Die bisher in der Literatur beschriebenen Methoden zum Herstellen vonSilberselenidschichten waren darauf ausgelegt, möglichst homogene odersogar einkristalline Filme zu produzieren. Im Hinblick auf dieCharakterisierung der genauen Zusammensetzung und der Kontrolle derSilberausscheidungen existieren daher nur wenige Informationen. So ist die High-Temperature-Successive-Deposition-Methode sehr gutgeeignet, um möglichst stöchiometrisches (einphasiges) und gutkristallisiertes Material herzustellen. Das zweite Verfahren, die direkte thermische Verdampfung, bietet nur sehr begrenzte Möglichkeiten für eine gezielte Strukturierung. Wie die Untersuchungen in dieser Arbeit gezeigt haben, ist diese Methode geeignet, Schichten herzustellen, wenn auch nicht gezielt, deren Zusammensetzungen in einem weiten Konzentrationsgebiet liegen.Das dritte zur Herstellung von Silberselenidschichten eingesetzte Verfahren ist die gepulste Laser Deposition (PLD). Hiermit war es erstmalsmöglich, Schichtdicken im Bereich weniger Nanometer bis hin zu mehrerenMikrometern herzustellen, deren Zusammensetzung für eine einzelne Probeüber einen großen Bereich einstellbar und über die gesamteSchichtdicke annähernd konstant ist. Aufgrund der extremenNichtgleichgewichtsbedingungen während dieser Aufdampfmethode ist es beiden zweiphasigen Siberselenid-/Silberschichten hier auch möglich, die Größe derSilberaggregate gut zu kontrollieren.de-DEIn CopyrightMagnetowiderstandSilberchalkogenideKupferchalkogenideDünne SchichtenGasphasenabscheidungddc:540