Glatthaar, JörgJörgGlatthaar2023-03-032003-12-012023-03-032003http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:hebis:26-opus-13278https://jlupub.ub.uni-giessen.de/handle/jlupub/10596http://dx.doi.org/10.22029/jlupub-9979Diese Arbeit umfaßt zwei eng miteinander verknüpfte Themenbereiche, zum einen die Darstellung sogenannter hochempfindlicher Azidosilane und zum anderen die Untersuchung ihres photochemischen Verhaltens unter den Bedingungen der Matrixisolation. Im Rahmen dieser Arbeit ist es gelungen, für die Synthese hochempfindlicher Azidosilane eine auf die speziellen Anforderungen und Gefahrenpotentiale zugeschnittene Methode unter Verwendung von Tri-n-butylzinnazid als Übertragungsreagenz zu entwickeln. Durch Bestrahlung geeigneter Azidosilan-Precursoren wurde der Zugang zum Studium verschiedenster reaktiver Intermediate der HNSi-, H3NSi-, CHNSi-, CH3NSi-, CH5NSi-, CH4N2Si-, H2N2Si-, N2Si- und N4Si-Energiehyperflächen eröffnet. Dabei konnten eine Reihe z. T. überraschender, neuer Erkenntnisse über den Zerfall von Mono-, Di-, Triazidosilanen sowie Tetraazidosilan und die Struktur der Spaltprodukte gewonnen werden. Die Ergebnisse konnten mit Hilfe von Isotopenmarkierungs-Techniken und durch Vergleich mit den Ergebnissen aus quantenmechanischen Rechnungen verifiziert werden. Zum ersten Mal werden im Rahmen dieser Arbeit die CH5NSi-, die CH3NSi- und die CH4N2Si-Energiehyperflächen mit Hilfe von ab initio-Rechenmethoden detailliert beschrieben.de-DEIn CopyrightFotochemieAzidosilanephotochemistryazidosilanesddc:540