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dc.contributor.authorNeumann, Christian
dc.date.accessioned2023-02-09T15:32:20Z
dc.date.available2006-10-16T12:31:39Z
dc.date.available2023-02-09T15:32:20Z
dc.date.issued2006
dc.identifier.urihttp://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:hebis:26-opus-36754
dc.identifier.urihttps://jlupub.ub.uni-giessen.de//handle/jlupub/10162
dc.identifier.urihttp://dx.doi.org/10.22029/jlupub-9546
dc.description.abstractDie Arbeit beschäftigt sich mit der homoepitaktischen Darstellung von ZnO-Dünnschichten. Die Arbeit beginnt mit einer theoretischen Betrachtung des Materialsystems und den daraus für eine erfolgreiche Epitaxie zu ziehenden Schlüssen.Es wurde eine Temperbehandlung zur Oberflächenmodifikation kommerziell erhältlicher ZnO-Einkristallsubstrate erarbeitet, die für eine erfolgreiche Epitaxie erforderlich ist. Im Anschluß daran wird die Entwicklung eines CVD-Prozesses mit metallischer Zink-Vorstufe und Stickstoffdioxid als Sauerstoffvorstufe aufgezeigt.Abschließend werden die physikalischen Eigenschaften der so dargestellten Epitaxieschichten aufgezeigt. Neben hervorragenden kristallinen und optischen Eigenschaften konnte so auch die Abhängigkeit des Einbaus von Fremdatomen von der Oberflächenpolarität des epitaktischen Wachstums gezeigt werden.de_DE
dc.description.abstractThis thesis deals with the homoepitaxial growth of ZnO epitaxial thin-films.It starts with a theoretical consideration of this material system and shows how to establish a successful epitaxy. Then, the thesis shows the development of a CVD process with metallic zinc precursor and nitrogen dioxide as oxygen precursor.Finally, the physical properties of the realized epitaxial thin films are shown. Besides excellent crystalline and optical properties one finds the dependence of incorporation of atoms of the gaseous phase from the polarity of the ZnO growth polarity.en
dc.language.isode_DEde_DE
dc.rightsIn Copyright*
dc.rights.urihttp://rightsstatements.org/page/InC/1.0/*
dc.subjectEpitaxiede_DE
dc.subjectHomoepitaxiede_DE
dc.subjectZnOde_DE
dc.subjectCVDde_DE
dc.subjectEinkristallde_DE
dc.subjectepitaxyen
dc.subjecthomoepitaxyen
dc.subjectZnOen
dc.subjectCVDen
dc.subject.ddcddc:530de_DE
dc.titleHomoepitaxie von ZnOde_DE
dc.title.alternativeHomoepitaxial growth of ZnOen
dc.typedoctoralThesisde_DE
dcterms.dateAccepted2006-10-12
local.affiliationFB 07 - Mathematik und Informatik, Physik, Geographiede_DE
thesis.levelthesis.doctoralde_DE
local.opus.id3675
local.opus.instituteI. Physikalisches Institutde_DE
local.opus.fachgebietPhysikde_DE


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