Progress in Sputter Growth of ß-Ga2O3 by Applying Pulsed-Mode Operation

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dc.contributor.authorSchurig, Philipp
dc.contributor.authorMichel, Fabian
dc.contributor.authorBeyer, Andreas
dc.contributor.authorVolz, Kerstin
dc.contributor.authorBecker, Martin
dc.contributor.authorPolity, Angelika
dc.contributor.authorKlar, Peter J.
dc.date.accessioned2022-09-06T14:03:05Z
dc.date.available2022-09-06T14:03:05Z
dc.date.issued2020
dc.identifier.urihttps://jlupub.ub.uni-giessen.de//handle/jlupub/7461
dc.identifier.urihttp://dx.doi.org/10.22029/jlupub-6911
dc.language.isoen
dc.rightsNamensnennung - Nicht kommerziell - Keine Bearbeitungen 4.0 International
dc.rights.urihttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/
dc.subject.ddcddc:530
dc.titleProgress in Sputter Growth of ß-Ga2O3 by Applying Pulsed-Mode Operation
dc.typearticle
local.affiliationFB 07 - Mathematik und Informatik, Physik, Geographie
local.source.articlenumber1901009
local.source.journaltitlePhysica status solidi. A, Applied research
local.source.urihttps://doi.org/10.1002/pssa.201901009
local.source.volume217

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