Über die Herstellung von Gallium- und Aluminiumnitrid aus der Gasphase

Ziel dieser Dissertation war die systematische Untersuchung des HTVPE-Wachstumsprozesseszur Herstellung von GaN. Durch ihre hohen Wachstumsraten besitzt diese Methode einerhebliches Potential in Hinblick auf die Herstellung von GaN-Quasisubstraten. DieBeschreibung der Wachstumsraten soll durch das Aufstellen eines Wachstumsmodellesermöglicht und anhand der umfangreichen experimentellen Daten verifiziert werden. Darüberhinaus wurde die HTVPE erstmals zur Herstellung AlN eingesetzt. Die gewonnenen Datendienten zur Überprüfung des erarbeiteten Modells. Inwieweit sich die HTVPE zum Wachstumvon ternären Mischkristallen eignet wurde am Beispiel AlxGa1-xN untersucht.