Comparison of carrier-recombination in Ga(As,Bi)/Ga(N,As)-type-II quantum wells and W-type heterostructures

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dc.contributor.authorVeletas, Julian
dc.contributor.authorHepp, Thilo
dc.contributor.authorDobener, Florian
dc.contributor.authorVolz, Kerstin
dc.contributor.authorChatterjee, Sangam
dc.date.accessioned2022-08-30T06:57:41Z
dc.date.available2022-08-30T06:57:41Z
dc.date.issued2021
dc.description.sponsorshipDeutsche Forschungsgemeinschaft (DFG); ROR-ID:018mejw64
dc.identifier.urihttps://jlupub.ub.uni-giessen.de//handle/jlupub/7076
dc.identifier.urihttp://dx.doi.org/10.22029/jlupub-6527
dc.language.isoen
dc.rightsNamensnennung 4.0 International
dc.rights.urihttps://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
dc.subject.ddcddc:530
dc.titleComparison of carrier-recombination in Ga(As,Bi)/Ga(N,As)-type-II quantum wells and W-type heterostructures
dc.typearticle
local.affiliationFB 07 - Mathematik und Informatik, Physik, Geographie
local.projectGRK 1782
local.source.articlenumber052103
local.source.epage7
local.source.journaltitleApplied physics letters
local.source.spage1
local.source.urihttps://doi.org/10.1063/5.0036073
local.source.volume118

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