Das in dieser Arbeit aufgebaute Vakuum-Rasterkraftmikroskop erlaubt mit der entwickelten in-situ Messmethode die Charakterisierung des Wachstumsverhaltens und der (elektrischen) Kontakteinstellung organischer Halbleiter. Die Möglichkeiten zur Analyse des Filmwachstums und die Auflösung im Subnanometerbereich wurden an PcCu und F16PcCu auf einkristallinem KCl-Oberflächen demonstriert. Mithilfe des elektrischen KPFM-Messmodus wurden Energiebarrieren an den Kontakten zur Injektion von Elektronen und Löchern in das für OLED interessante Emittermaterial PCIC während des Wachstums in-situ bestimmt. Die gewonnenen Erkenntnisse stimmen mit den Eigenschaften wie Strom-Spannungscharakteristik und Elektrolumineszenz der entsprechenden Bauteile überein. Die Bestimmung der Oberflächenpotentiale war durch die Ortsauflösung des KPFM auch an heterogen bedeckten Kontaktoberflächen möglich. Die Potentiometrie an Transistorstrukturen (OFET) mit dem n-Leiter F16PcCu lieferte Ausgangskennlinien und Werte für die Ladungsträgerbeweglichkeit, die um die Kontaktwiderstände an Source und Drain korrigiert sind. Dabei ist die korrigierte Beweglichkeit signifikant größer ist als der zuvor unter Einbeziehung der Kontaktverluste bestimmte Wert. Zusätzlich wurden die Kontaktwiderstände quantifiziert. Dabei zeigte sich, dass der Widerstand am Source-Kontakt zusätzlich zur Injektionsbarriere einen großen parasitären ohmschen Anteil besitzt und der Widerstand am Drain-Kontakt einen nicht-ohmschen Kontakt zur Gold-Elektrode ausbildet, der einer Tunnelbarriere zugeordnet wird.
Verknüpfung zu Publikationen oder weiteren Datensätzen
